設(shè)備簡(jiǎn)介：安動(dòng)自主研發(fā)的單腔去膠設(shè)備，采用自動(dòng)三軸高精度機(jī)械手臂、微波等離子源及單片反應(yīng)腔設(shè)計(jì)，基于Windows 平臺(tái)的人機(jī)交換界面操作簡(jiǎn)單，系統(tǒng)架構(gòu)合理。設(shè)備具有占地空間小，產(chǎn)能效率高，耗材成本及運(yùn)營(yíng)成本低等優(yōu)點(diǎn)。適用于半導(dǎo)體前后段各種光刻膠的去除。 設(shè)備優(yōu)勢(shì)： ?適用4、6、8寸晶圓（1-3代半導(dǎo)體） ?自適應(yīng)機(jī)械手臂，取放精度0.05mm ?高密封腔體設(shè)計(jì)，真空底壓30mT ?微波+石英氣路設(shè)計(jì)，去膠均勻性5~7% ?增加FFU有效減少顆粒污染 |
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| 功能配置 | 技術(shù)參數(shù) |
| 設(shè)備稼動(dòng)率 | ≥95% |
| 平均修理時(shí)間 | ≤4hours |
| 平均故障間隔時(shí)間 | ≥250hours |
| 平均輔助間隔時(shí)間 | ≥24hours |
| 晶圓破片率 | ≤1 in 10,000 wafers |
| 工藝腔真空度 | ≤30 mtorr |
| 腔體漏率 | ≤10 mtorr/min |
| 加熱溫度控制 | ±3C of setpoint |
| 微波功率范圍 | 30o w to 1500 w |
| 微波功率控制 | ±3% of setpoint |
| 每小時(shí)晶圓清洗產(chǎn)能 | >25(4微米光刻膠) |
| 基材損耗 | <10A |
| 去膠工藝 | ||
| 光刻膠去除速率 | >40000 A/min | |
| 光刻膠去除均勻性 | 片內(nèi)均勻性 | Spc<7% |
| 片間均勻性 | Spc<7% | |
| 批次間均勻性 | Spc<7% | |
| 聚合物去除 | 基材損耗 | <10A |
| 顆粒 | <30ea(0.3u) | |
| 除渣工藝 | ||
| 除渣去膠速率 | 1000-3000 A/min | |
| 除渣去膠均勻性 | 片內(nèi)均勻性 | Spc<7% |
| 片間均勻性 | Spc<7% | |
| 批次間均勻性 | Spc<7% | |
| 聚合物去除 | 基材損耗 | <5A |
| 顆粒 | <30ea(0.3u) | |
| 碳膜去除工藝 | ||
| 碳膜去除速率 | 200-800 A/min | |
| 碳膜去除均勻性 | 片內(nèi)均勻性 | Spc<7% |
| 片間均勻性 | Spc<7% | |
| 批次間均勻性 | Spc<7% | |
| 聚合物去除 | 基材損耗 | <5A |
| 顆粒 | <30ea(0.3u) | |
